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NEO Semiconductor 完成 3D 堆叠内存 X-DRAM 概念验证，可用现有 NAND 产线制造_蜘蛛资讯网

23 日宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造，证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。NEO Semiconductor 的 X-DRAM 验证芯片实现了 10¹⁴ 循环耐久，读写延迟＜10ns，85℃ 下数据保持时间＞1s（注：这一数据是 JEDEC 为标准 DRAM 给出的 64ms 的 15 倍）。NEO Semiconductor 同时宣布得到了宏碁创

p; 　　炒股就看金麒麟分析师研报，权威，专业，及时，全面，助您挖掘潜力主题机会！　　据统计，5月5日，截止发稿前，齐心集团披露增持情况，中曼石油、森泰股份披露拟减持情况。新浪声明：此消息系转载自新浪合作媒体，新浪网登载此文出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其描述。文章内容仅供参考，不构成投资建议。投资者据此操作，风险自担。责任编辑：宋雅芳

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发布时间：09:16:29