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23 日宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造,证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。NEO Semiconductor 的 X-DRAM 验证芯片实现了 10¹⁴ 循环耐久,读写延迟<10ns,85℃ 下数据保持时间>1s(注:这一数据是 JEDEC 为标准 DRAM 给出的 64ms 的 15 倍)。NEO Semiconductor 同时宣布得到了宏碁创
p; 炒股就看金麒麟分析师研报,权威,专业,及时,全面,助您挖掘潜力主题机会! 据统计,5月5日,截止发稿前,齐心集团披露增持情况,中曼石油、森泰股份披露拟减持情况。新浪声明:此消息系转载自新浪合作媒体,新浪网登载此文出于传递更多信息之目的,并不意味着赞同其观点或证实其描述。文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。责任编辑:宋雅芳
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发布时间:09:16:29
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